激光切割加工相符合的等離子技術(shù)的臨界點(diǎn)密度約為12個(gè)/cm3，而C02金屬激光焊接機(jī)時(shí)的光致等離子技術(shù)密度為117~12個(gè)/cm2重量級(jí)，因此焊結(jié)時(shí)，激光切割加工可在引起的等離子技術(shù)中傳輸。但是，等離子技術(shù)并不是這類*透明的化學(xué)物質(zhì)，當(dāng)激光發(fā)生器在等離子技術(shù)中散布時(shí)，其機(jī)械能將一部分地被植物等離子技術(shù)消化，激光發(fā)生器抗拉強(qiáng)度漸漸地減弱。逆韌致放射性物質(zhì)是等離子技術(shù)消化重要體系。

    然面，在C02激光發(fā)生器與化合物的相互作用力和激光發(fā)生器原料生產(chǎn)制造的科研中發(fā)現(xiàn)，當(dāng)激光發(fā)生器功率為幾千瓦至十兒千瓦時(shí)，消化波等離子技術(shù)實(shí)際上只能消化出射激光發(fā)生器機(jī)械能的60%左右。造成這種區(qū)別的原因得出。

    （1）當(dāng)光致低溫等離子凈化設(shè)備上升到務(wù)必高度后，等離子技術(shù)的后沿也將解決試件表面往上面運(yùn)動(dòng)健身，而且當(dāng)?shù)入x子技術(shù)解決試件再度運(yùn)動(dòng)健身時(shí)，激光切割加工技術(shù)性的實(shí)際長(zhǎng)度將滅小。這就意味著當(dāng)?shù)入x子技術(shù)解決試件后，等離子技術(shù)對(duì)激光發(fā)生器的消化將隨著等離子技術(shù)上升高度的提高而降低。

    （2）光致等離子技術(shù)前沿電子密度大、溫度提高，對(duì)激光發(fā)生器的消化強(qiáng)，而等離子技術(shù)其他*大部分地域的電子密度小、溫度低，對(duì)激光發(fā)生器的消化弱。因此，隨者等離子技術(shù)長(zhǎng)度的培加，平均值線型吸收系數(shù)將降低。